Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
30 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
350 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Transistor Configuration
Common Emitter
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
2
Dimensiones del Cuerpo
10.4 x 9.35 x 4.37mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.8 V
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P.O.A.
5
P.O.A.
5
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
30 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
350 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Transistor Configuration
Common Emitter
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
2
Dimensiones del Cuerpo
10.4 x 9.35 x 4.37mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.8 V