Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
30 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
350 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
300
Transistor Configuration
Common Emitter
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
2
Dimensiones del Cuerpo
10.4 x 4.6 x 15.75mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
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P.O.A.
5
P.O.A.
5
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
30 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
350 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
300
Transistor Configuration
Common Emitter
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
2
Dimensiones del Cuerpo
10.4 x 4.6 x 15.75mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC