Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
10 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
400 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
300
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
2.5 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.5mA
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.4mm
Altura
15.75mm
Ancho
4.6mm
Dimensiones del Cuerpo
10.4 x 4.6 x 15.75mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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P.O.A.
2
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STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
10 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
400 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
300
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
2.5 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.5mA
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.4mm
Altura
15.75mm
Ancho
4.6mm
Dimensiones del Cuerpo
10.4 x 4.6 x 15.75mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.