Transistor Darlington, BDX54C, PNP 8 A, 100 V, HFE:750, TO-220, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
2.5 V
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
2 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
10.4mm
Dimensiones
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Anchura
4.6mm
Altura
9.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Datos del producto
Transistores Darlington PNP, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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$ 34.100
$ 682 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 40.579
$ 811,58 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 682 | $ 34.100 |
| 100 - 450 | $ 480 | $ 24.000 |
| 500 - 950 | $ 395 | $ 19.750 |
| 1000 - 1950 | $ 331 | $ 16.550 |
| 2000+ | $ 323 | $ 16.150 |
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PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
2.5 V
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
2 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Largo
10.4mm
Dimensiones
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Anchura
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Altura
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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