Transistor Darlington, BDX53C, NPN 8 A, 100 V, HFE:750, TO-220, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
2.5 V
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
2 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Altura
9.15mm
Dimensiones
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
10.4mm
Anchura
4.6mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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$ 293 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 1.743
$ 348,67 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
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Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
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Single
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1
Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
2.5 V
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
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2 V
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Altura
9.15mm
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10.4 x 4.6 x 9.15mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
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Anchura
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