STMicroelectronics Transistor Darlington BDW93CFP 1 12 A 100 V NPN HFE:100, TO-220, 3 pines

Código de producto RS: 793-1318PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: BDW93CFP
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Producto

Transistor Darlington

Corriente continua máxima de colector Ic

12A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

100V

Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Número de Elementos por Chip

1

Ganancia mínima de corriente DC hFE

100

Disipación de potencia máxima Pd

33W

Polaridad del transistor

NPN

Tensión Emisor-Base máxima VEBO

5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2V

Tensión Colector-Base máxima VCBO

100V

Temperatura de Funcionamiento Máxima

150°C

Anchura

4.6 mm

Altura

16.4mm

Largo

10.4mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Series

BDW93CFP

Corriente de corte máxima de colector

5mA

Estándar de automoción

No

País de Origen

China

Datos del producto

Transistores Darlington NPN, ST Microelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

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P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)

STMicroelectronics Transistor Darlington BDW93CFP 1 12 A 100 V NPN HFE:100, TO-220, 3 pines
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Tubo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

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100V

Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Número de Elementos por Chip

1

Ganancia mínima de corriente DC hFE

100

Disipación de potencia máxima Pd

33W

Polaridad del transistor

NPN

Tensión Emisor-Base máxima VEBO

5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2V

Tensión Colector-Base máxima VCBO

100V

Temperatura de Funcionamiento Máxima

150°C

Anchura

4.6 mm

Altura

16.4mm

Largo

10.4mm

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RoHS

Series

BDW93CFP

Corriente de corte máxima de colector

5mA

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No

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A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

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