Transistor Darlington, BDW93C, NPN 12 A, 100 V, HFE:100, TO-220, 3 pines Simple

Código de producto RS: 485-9042Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: BDW93C
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Transistor

NPN

Corriente Máxima Continua del Colector

12 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

100 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Single

Número de Elementos por Chip

1

Ganancia Mínima de Corriente DC

100

Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor

4 V

Tensión Base Máxima del Colector

100 V

Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor

3 V

Corriente de Corte Máxima del Colector

0.1mA

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-65 °C

Altura

9.15mm

Dimensiones del Cuerpo

10.4 x 4.6 x 9.15mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.4mm

Anchura

4.6mm

Datos del producto

Transistores Darlington NPN, ST Microelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

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$ 5.735

$ 1.147 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 6.825

$ 1.364,93 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
5 - 20$ 1.147$ 5.735
25 - 45$ 1.077$ 5.385
50 - 120$ 1.024$ 5.120
125 - 245$ 961$ 4.805
250+$ 917$ 4.585

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NPN

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Tensión Máxima Colector-Emisor

100 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Single

Número de Elementos por Chip

1

Ganancia Mínima de Corriente DC

100

Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor

4 V

Tensión Base Máxima del Colector

100 V

Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor

3 V

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0.1mA

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-65 °C

Altura

9.15mm

Dimensiones del Cuerpo

10.4 x 4.6 x 9.15mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.4mm

Anchura

4.6mm

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