Transistor Darlington, BDW93C, NPN 12 A, 100 V, HFE:100, TO-220, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
12 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.1mA
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.4mm
Altura
9.15mm
Profundidad
4.6mm
Dimensiones del Cuerpo
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 1.198,33
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| 250+ | $ 906 | $ 45.300 |
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Through Hole
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3
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Single
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1
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
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Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
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10.4mm
Altura
9.15mm
Profundidad
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