Transistor Darlington, BD682, PNP 4 A, 100 V, HFE:750, SOT-32, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
4 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-32
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
2.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Largo
7.8mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
10.8mm
Ancho
2.7mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
Dimensiones
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Datos del producto
Transistores Darlington PNP, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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$ 31.500
$ 630 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 37.485
$ 749,70 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
$ 31.500
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50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 630 | $ 31.500 |
| 100 - 200 | $ 592 | $ 29.600 |
| 250+ | $ 567 | $ 28.350 |
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Especificaciones
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PNP
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4 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
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Tipo de Montaje
Through Hole
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3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
2.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Largo
7.8mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
10.8mm
Ancho
2.7mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
Dimensiones
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