STMicroelectronics Transistor Darlington BD677A 1 4 A 60 V NPN HFE:750, SOT-32, 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
Transistor Darlington
Corriente continua máxima de colector Ic
4A
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
60V
Tipo de Encapsulado
SOT-32
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Número de elementos por chip
1
Ganancia mínima de corriente DC hFE
750
Disipación de potencia máxima Pd
40W
Polaridad del transistor
NPN
Tensión Emisor-Base máxima VEBO
5V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65°C
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.8V
Tensión Colector-Base máxima VCBO
60V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
2.7 mm
Altura
10.8mm
Largo
7.8mm
Certificaciones y estándares
No
Series
BD6xxx
Corriente de corte máxima de colector
0.2mA
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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$ 30.000
$ 600 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 35.700
$ 714 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 600 | $ 30.000 |
| 100 - 200 | $ 570 | $ 28.500 |
| 250 - 450 | $ 513 | $ 25.650 |
| 500+ | $ 510 | $ 25.500 |
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Transistor Darlington
Corriente continua máxima de colector Ic
4A
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
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Tipo de Encapsulado
SOT-32
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Número de elementos por chip
1
Ganancia mínima de corriente DC hFE
750
Disipación de potencia máxima Pd
40W
Polaridad del transistor
NPN
Tensión Emisor-Base máxima VEBO
5V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65°C
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.8V
Tensión Colector-Base máxima VCBO
60V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
2.7 mm
Altura
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Largo
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No
Series
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Corriente de corte máxima de colector
0.2mA
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