Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
-4 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
-45 V
Tipo de Encapsulado
SOT-32
Tipo de Montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
36000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
45 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
3 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Datos del producto
Transistores de potencia PNP, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
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5

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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
-4 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
-45 V
Tipo de Encapsulado
SOT-32
Tipo de Montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
36000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
45 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
3 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Datos del producto
Transistores de potencia PNP, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.



