Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
Transistor
Corriente de colector DC máxima ldc
2A
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
115V
Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Configuración de transistor
NPN
Tensión Colector-Base máxima VCBO
100V
Disipación de potencia máxima Pd
2W
Polaridad del transistor
NPN
Ganancia mínima de corriente DC hFE
15
Tensión Emisor-Base máxima VEBO
5V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65°C
Número de pines
3
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Longitud:
10mm
Altura
15.25mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
4.4mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
El transistor de potencia de STMicroelectronics está fabricado en tecnología Planar con diseño de \"Isla de base\". El transistor resultante muestra un rendimiento de ganancia excepcionalmente alto junto con una tensión de saturación muy baja.
Volver a intentar más tarde
$ 20.800
$ 416 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 24.752
$ 495,04 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
$ 20.800
$ 416 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 24.752
$ 495,04 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
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50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 450 | $ 416 | $ 20.800 |
| 500 - 950 | $ 395 | $ 19.750 |
| 1000+ | $ 367 | $ 18.350 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
Transistor
Corriente de colector DC máxima ldc
2A
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
115V
Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Configuración de transistor
NPN
Tensión Colector-Base máxima VCBO
100V
Disipación de potencia máxima Pd
2W
Polaridad del transistor
NPN
Ganancia mínima de corriente DC hFE
15
Tensión Emisor-Base máxima VEBO
5V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65°C
Número de pines
3
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Longitud:
10mm
Altura
15.25mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
4.4mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
El transistor de potencia de STMicroelectronics está fabricado en tecnología Planar con diseño de \"Isla de base\". El transistor resultante muestra un rendimiento de ganancia excepcionalmente alto junto con una tensión de saturación muy baja.