Transistor, BD237, NPN 2 A 80 V SOT-32, 3 pines, 3 MHz, Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tipo de Encapsulado
SOT-32
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
25
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
3 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores de potencia NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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$ 313
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 372,47
Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 313 | $ 15.650 |
| 100 - 200 | $ 235 | $ 11.750 |
| 250 - 450 | $ 228 | $ 11.400 |
| 500 - 950 | $ 199 | $ 9.950 |
| 1000+ | $ 177 | $ 8.850 |
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NPN
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2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tipo de Encapsulado
SOT-32
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
25
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Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
3 MHz
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3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
10.8 x 7.8 x 2.7mm
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