Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, Tipo N-Canal A2U12M12W2-F2, VDSS 1200 V, ID 75 A, ACEPACK 2, Mejora de 8

El módulo de potencia STMicroelectronics representa una parte de una topología de inversor de 3 niveles tipo T que integra la tecnología avanzada de MOSFET de potencia de carburo de silicio. Este módulo aprovecha las propiedades innovadoras del material SiC de separación de banda ancha y un sustrato de alto rendimiento térmico. El resultado es una resistencia de conexión excepcionalmente baja por área de unidad y un excelente rendimiento de conmutación que es prácticamente independiente de la temperatura.

• Topología de 3 niveles
• Módulo de potencia ACEPACK 2
• 13 mΩ de RDS(on) típico de cada interruptor
• Tensión de aislamiento con certificación UL de 2,5 kVrms
• Sensor de temperatura NTC integrado
• DBC basado en Cu-Al2O3-Cu
• Pin de contacto de ajuste a presión
• Un sensor NTC completa el diseño