Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 75 A, ACEPACK 2, Mejora

El módulo STMicroelectronics está diseñado como módulo de potencia en una topología de cuatro paquetes que integra tecnología MOSFET de potencia de carburo de silicio avanzada. El módulo aprovecha las propiedades innovadoras del material SiC de separación de banda ancha y un sustrato de alto rendimiento térmico.

• Topología de cuatro paquetes
• Módulo de potencia ACEPACK 2
• 13 mΩ de RDS(on) típico de cada interruptor
• Tensión de aislamiento con certificación UL de 2,5 kVrms
• Sensor de temperatura NTC integrado
• DBC basado en Cu-Al2O3-Cu
• Contactos de ajuste de presión
• Excelente rendimiento de conmutación que es prácticamente independiente de la temperatura