Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
Transistor
Corriente de colector DC máxima ldc
3A
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
60V
Encapsulado
SOT-223
Tipo de Montaje
Surface
Configuración de transistor
NPN
Tensión Colector-Base máxima VCBO
80V
Disipación de potencia máxima Pd
1.6W
Polaridad del transistor
NPN
Ganancia mínima de corriente DC hFE
80
Tensión Emisor-Base máxima VEBO
6V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-60°C
Número de pines
4
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Longitud:
2.29mm
Altura
4.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
1.4mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
El transistor NPN de STMicroelectronics se fabrica utilizando la nueva tecnología Planar de baja tensión con proceso de metal doble. El resultado es un transistor que cuenta con un rendimiento de ganancia excepcionalmente alto junto con una tensión de saturación muy baja.
Volver a intentar más tarde
$ 312.000
$ 312 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 371.280
$ 371,28 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)
1000
$ 312.000
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$ 371.280
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1000
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STMicroelectronicsTipo de Producto
Transistor
Corriente de colector DC máxima ldc
3A
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
60V
Encapsulado
SOT-223
Tipo de Montaje
Surface
Configuración de transistor
NPN
Tensión Colector-Base máxima VCBO
80V
Disipación de potencia máxima Pd
1.6W
Polaridad del transistor
NPN
Ganancia mínima de corriente DC hFE
80
Tensión Emisor-Base máxima VEBO
6V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-60°C
Número de pines
4
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Longitud:
2.29mm
Altura
4.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
1.4mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
El transistor NPN de STMicroelectronics se fabrica utilizando la nueva tecnología Planar de baja tensión con proceso de metal doble. El resultado es un transistor que cuenta con un rendimiento de ganancia excepcionalmente alto junto con una tensión de saturación muy baja.