Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
Transistor bipolar
Corriente de colector DC máxima ldc
-10A
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
-50V
Tipo de Encapsulado
SOT-89
Tipo de Montaje
Superficie
Configuración de transistor
Single
Disipación de potencia máxima Pd
1.4W
Polaridad del transistor
PNP
Ganancia mínima de corriente DC hFE
80
Tensión Emisor-Base máxima VEBO
-5V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65°C
Frecuencia de transición máxima fT
1MHz
Número de pines
4
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Longitud
4.6mm
Altura
1.6mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Los transistores 2STF2550 y 2STN2550 son transistores PNP fabricados con la nueva tecnología "PB-HCD" (potencia bipolar de alta densidad de corriente). El transistor resultante muestra un rendimiento de ganancia excepcionalmente alto junto con una tensión de saturación muy baja.
Volver a intentar más tarde
$ 477.500
$ 191 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 568.225
$ 227,29 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
$ 477.500
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2500
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STMicroelectronicsTipo de Producto
Transistor bipolar
Corriente de colector DC máxima ldc
-10A
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
-50V
Tipo de Encapsulado
SOT-89
Tipo de Montaje
Superficie
Configuración de transistor
Single
Disipación de potencia máxima Pd
1.4W
Polaridad del transistor
PNP
Ganancia mínima de corriente DC hFE
80
Tensión Emisor-Base máxima VEBO
-5V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65°C
Frecuencia de transición máxima fT
1MHz
Número de pines
4
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Longitud
4.6mm
Altura
1.6mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Los transistores 2STF2550 y 2STN2550 son transistores PNP fabricados con la nueva tecnología "PB-HCD" (potencia bipolar de alta densidad de corriente). El transistor resultante muestra un rendimiento de ganancia excepcionalmente alto junto con una tensión de saturación muy baja.