Memoria flash, Paralelo S29GL512S10TFI010 512Mbit, 32M x 16 bits, 100ns, TSOP, 56 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
SpansionTamaño de la Memoria
512Mbit
Tipo de Interfaz
Parallel
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
56
Organización
32M x 16 bits
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Célula
NI
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Organización de Bloques
Simétrico
Largo
18.5mm
Altura
1.05mm
Ancho
14.1mm
Dimensiones del Cuerpo
18.5 x 14.1 x 1.05mm
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
100ns
Número de palabras
32M
Temperatura Mínima de Funcionamiento
–40 °C
Número de Bits de Palabra
16bit
Temperatura Máxima de Operación
+85 °C.
País de Origen
Thailand
Datos del producto
Memoria Flash NOR en paralelo, Cypress Semiconductor
Altas prestaciones
Acceso aleatorio rápido y ancho de banda alto
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.
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18.5mm
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Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
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Número de palabras
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Temperatura Mínima de Funcionamiento
–40 °C
Número de Bits de Palabra
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Temperatura Máxima de Operación
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Thailand
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