Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
SemtechConfiguración de diodo
Matriz compleja
Tipo de producto
Array de diodo TVS
Tipo de Dirección
Bi-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
114V
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Encapsulado
SOIC
Tensión de corte inversa máxima Vwm
102V
Número de pines
8
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
600W
Tensión de sujeción VC
165V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
3.6A
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Número de elementos por chip
7
Temperatura Máxima de Operación
125°C
Altura
1.5mm
Longitud:
5mm
Ancho
4mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1μA
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
$ 6.914
$ 3.457 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 8.228
$ 4.113,83 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
Estándar
2
$ 6.914
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2
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 2 - 18 | $ 3.457 | $ 6.914 |
| 20 - 38 | $ 3.315 | $ 6.630 |
| 40+ | $ 3.166 | $ 6.332 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
SemtechConfiguración de diodo
Matriz compleja
Tipo de producto
Array de diodo TVS
Tipo de Dirección
Bi-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
114V
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Encapsulado
SOIC
Tensión de corte inversa máxima Vwm
102V
Número de pines
8
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
600W
Tensión de sujeción VC
165V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
3.6A
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Número de elementos por chip
7
Temperatura Máxima de Operación
125°C
Altura
1.5mm
Longitud:
5mm
Ancho
4mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1μA
Datos del producto