Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
SemtechTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Isolated
Tensión Residual Máxima
11V
Tensión Mínima de Ruptura
6V
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tensión de Corte Inversa Máxima
5V
Conteo de Pines
8
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
300W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
5.1A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Dimensiones
5 x 4 x 1.5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
125 °C
Altura
1.5mm
Corriente de Prueba
1mA
Largo
5mm
Anchura
4mm
Corriente de fugas inversa máxima
20µA
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
1
P.O.A.
Volver a intentar más tarde
Empaque de Producción (Tubo)
1
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Especificaciones
Brand
SemtechTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Isolated
Tensión Residual Máxima
11V
Tensión Mínima de Ruptura
6V
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tensión de Corte Inversa Máxima
5V
Conteo de Pines
8
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
300W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
5.1A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Dimensiones
5 x 4 x 1.5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
125 °C
Altura
1.5mm
Corriente de Prueba
1mA
Largo
5mm
Anchura
4mm
Corriente de fugas inversa máxima
20µA


