Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
SemikronCorriente Máxima Continua del Colector
618 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Tipo de Encapsulado
SEMITRANS3
Configuration
Single
Tipo de montaje
Panel Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
5
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
106.4 x 61.4 x 30.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Profundidad
61.4mm
Datos del producto
Módulos IGBT simples
Semikron ofrece módulos IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) en encapsulados SEMITRANS, SEMiX y SEMITOP en varias topologías, valores de corriente y tensiones nominales.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 298.570
Each (Sin IVA)
$ 355.298
Each (IVA Incluido)
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 9 | $ 298.570 |
10 - 19 | $ 283.931 |
20 - 49 | $ 269.613 |
50 - 249 | $ 256.172 |
250+ | $ 243.636 |
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Especificaciones
Brand
SemikronCorriente Máxima Continua del Colector
618 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Tipo de Encapsulado
SEMITRANS3
Configuration
Single
Tipo de montaje
Panel Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
5
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
106.4 x 61.4 x 30.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Profundidad
61.4mm
Datos del producto
Módulos IGBT simples
Semikron ofrece módulos IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) en encapsulados SEMITRANS, SEMiX y SEMITOP en varias topologías, valores de corriente y tensiones nominales.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.