Rectificador en puente, SKB 30/12 A1, Monofásico, 30A 1200V, G 12, 4 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
SemikronCorriente Directa Media de Pico
30A
Tipo de Puente
Single Phase
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
1200V
Tipo de montaje
Chassis Mount
Tipo de Encapsulado
G 12
Conteo de Pines
4
Configuración
Single
Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico
370A
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Tensión Directa de Pico
2.2V
Corriente Inversa de Pico
5mA
Longitud:
55mm
Dimensiones
55 x 45 x 24mm
Altura
24mm
Profundidad
45mm
Datos del producto
MOSFETs - N-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
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P.O.A.
1
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Especificaciones
Brand
SemikronCorriente Directa Media de Pico
30A
Tipo de Puente
Single Phase
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
1200V
Tipo de montaje
Chassis Mount
Tipo de Encapsulado
G 12
Conteo de Pines
4
Configuración
Single
Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico
370A
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Tensión Directa de Pico
2.2V
Corriente Inversa de Pico
5mA
Longitud:
55mm
Dimensiones
55 x 45 x 24mm
Altura
24mm
Profundidad
45mm
Datos del producto
MOSFETs - N-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.