Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
SemikronCorriente Máxima Continua del Colector
45 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
20V
Número de transistores
6
Tipo de Encapsulado
SEMITOP3
Configuration
Hex
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
36
Transistor Configuration
Six Pack
Dimensiones del Cuerpo
55 x 31 x 12mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Italy
Datos del producto
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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P.O.A.
1
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Especificaciones
Brand
SemikronCorriente Máxima Continua del Colector
45 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
20V
Número de transistores
6
Tipo de Encapsulado
SEMITOP3
Configuration
Hex
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
36
Transistor Configuration
Six Pack
Dimensiones del Cuerpo
55 x 31 x 12mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Italy
Datos del producto
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.