Módulo IGBT, SEMiX603GB12E4p, N-Canal, 1,1 kA, 1.200 V, SEMiX®3p, 11-Pines Serie

Módulos IGBT dobles SEMiX®

Módulos IGBT dobles de Semikron en encapsulados modernos de perfil bajo SEMiX® apropiados para aplicaciones de control de potencia de medio puente. Los módulos utilizan resortes sin soldaduras o contactos de encaje a presión para permitir el montaje de un controlador de puerta directamente encima del módulo, con lo que se ahorra espacio y se ofrece una fiabilidad de conexión mayor. Las aplicaciones típicas incluyen dispositivos inversores de ca, SAI, soldadura de componentes electrónicos y sistemas de energía renovable.
Para ver los módulos controladores de puerta de encaje a presión, consulte de 122-0385 a 122-0387

• Encapsulado de montaje sin soldaduras y de perfil bajo
• IGBT con tecnología Trenchgate
• La VCE(sat) tiene un coeficiente de temperatura positivo
• Capacidad de corriente de cortocircuito alta
• Contactos de encaje a presión como contactos auxiliares
• Homologación UL

IGBT Modules, Semikron

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.