Módulo IGBT, SKM400GAL12E4 , N-Canal, 618 A, 1200 V, SEMITRANS3, 5-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Semikron DanfossCorriente Máxima Continua del Colector
618 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Configuración
Single
Tipo de Encapsulado
SEMITRANS3
Tipo de Montaje
Panel Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
5
Configuración de transistor
Single
Dimensiones
106.4 x 61.4 x 30.5mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
Módulos IGBT simples
Semikron ofrece módulos IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) en encapsulados SEMITRANS, SEMiX y SEMITOP en varias topologías, valores de corriente y tensiones nominales.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
$ 321.867
$ 321.867 Each (Sin IVA)
$ 383.022
$ 383.022 Each (IVA Inc.)
1
$ 321.867
$ 321.867 Each (Sin IVA)
$ 383.022
$ 383.022 Each (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
1
Volver a intentar más tarde
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | $ 321.867 |
| 10 - 19 | $ 306.086 |
| 20 - 49 | $ 290.651 |
| 50 - 249 | $ 276.161 |
| 250+ | $ 262.647 |
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Semikron DanfossCorriente Máxima Continua del Colector
618 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Configuración
Single
Tipo de Encapsulado
SEMITRANS3
Tipo de Montaje
Panel Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
5
Configuración de transistor
Single
Dimensiones
106.4 x 61.4 x 30.5mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
Módulos IGBT simples
Semikron ofrece módulos IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) en encapsulados SEMITRANS, SEMiX y SEMITOP en varias topologías, valores de corriente y tensiones nominales.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos