Módulo IGBT, SKM300GB12E4, N-Canal, 422 A, 1.200 V, SEMITRANS3, 7-Pines, 12kHz 2 Medio puente
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Semikron DanfossCorriente Máxima Continua del Colector
422 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
20V
Número de transistores
2
Configuración
Dual
Tipo de Encapsulado
SEMITRANS3
Tipo de montaje
Screw Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
7
Velocidad de Conmutación
12kHz
Configuración de transistor
Half Bridge
Dimensiones del Cuerpo
106.4 x 61.4 x 30.5mm
Temperatura Mínima de Operación
–40 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
País de Origen
Slovakia
Datos del producto
Módulos IGBT dobles
Una gama de módulos IGBT SEMITOP® de Semikron que incorpora dos dispositivos IGBT conectados en serie (medio puente). Los módulos están disponibles en una amplia gama de tensiones y corrientes nominales y son adecuados para una gran variedad de aplicaciones de conmutación de potencia como variadores de velocidad de motores de inversor ac y fuentes de alimentación ininterrumpida.
Encapsulado SEMITOP® compacto
Adecuado para frecuencias de conmutación de hasta 12 kHz
Placa base de cobre aislado mediante tecnología de cobre de unión directa
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 277.783
$ 277.783 Each (Sin IVA)
$ 330.562
$ 330.562 Each (IVA Inc.)
1
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 1 | $ 277.783 |
| 2 - 4 | $ 260.269 |
| 5+ | $ 242.802 |
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Número de transistores
2
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Dual
Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
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Tipo de Canal
N
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7
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12kHz
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Temperatura Mínima de Operación
–40 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
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Slovakia
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Encapsulado SEMITOP® compacto
Adecuado para frecuencias de conmutación de hasta 12 kHz
Placa base de cobre aislado mediante tecnología de cobre de unión directa
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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