Módulo IGBT, SKM150GAR12T4 , N-Canal, 232 A, 1200 V, SEMITRANS2, 5-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Semikron DanfossCorriente Máxima Continua del Colector
232 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Tipo de Encapsulado
SEMITRANS2
Configuración
Single
Tipo de Montaje
Panel Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
5
Configuración de transistor
Single
Dimensiones del Cuerpo
94 x 34 x 30.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
Módulos IGBT simples
Semikron ofrece módulos IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) en encapsulados SEMITRANS, SEMiX y SEMITOP en varias topologías, valores de corriente y tensiones nominales.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 130.426
$ 130.426 Each (Sin IVA)
$ 155.207
$ 155.207 Each (IVA Inc.)
1
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | $ 130.426 |
| 10 - 19 | $ 96.910 |
| 20+ | $ 92.090 |
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±20V
Tipo de Encapsulado
SEMITRANS2
Configuración
Single
Tipo de Montaje
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Tipo de Canal
N
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5
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Single
Dimensiones del Cuerpo
94 x 34 x 30.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
Módulos IGBT simples
Semikron ofrece módulos IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) en encapsulados SEMITRANS, SEMiX y SEMITOP en varias topologías, valores de corriente y tensiones nominales.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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