Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Semikron DanfossCorriente continua máxima de colector Ic
232A
Tipo de producto
Módulo rápido IGBT4
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
1200V
Encapsulado
SEMITRANS2
Tipo de soporte
Surface
Tipo de Canal
Type N
Número de pines
5
Velocidad de conmutación
180ns
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.4V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40°C
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
94mm
Altura
30.1mm
Certificaciones y estándares
IEC 60747-1
Serie
GAL
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Módulos IGBT simples
Semikron ofrece módulos IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) en encapsulados SEMITRANS, SEMiX y SEMITOP en varias topologías, valores de corriente y tensiones nominales.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Volver a intentar más tarde
$ 79.742
$ 79.742 Each (Sin IVA)
$ 94.893
$ 94.893 Each (IVA Inc.)
1
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Semikron DanfossCorriente continua máxima de colector Ic
232A
Tipo de producto
Módulo rápido IGBT4
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
1200V
Encapsulado
SEMITRANS2
Tipo de soporte
Surface
Tipo de Canal
Type N
Número de pines
5
Velocidad de conmutación
180ns
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.4V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40°C
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
94mm
Altura
30.1mm
Certificaciones y estándares
IEC 60747-1
Serie
GAL
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Módulos IGBT simples
Semikron ofrece módulos IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) en encapsulados SEMITRANS, SEMiX y SEMITOP en varias topologías, valores de corriente y tensiones nominales.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.


