Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
SemelabTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
125 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
7V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+200 °C
Longitud
4.06mm
Ancho
5.08mm
Material del transistor
Si
Serie
TetraFET
Altura
2.18mm
País de Origen
United Kingdom
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P.O.A.
1
P.O.A.
1
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Especificaciones
Brand
SemelabTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
125 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
7V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+200 °C
Longitud
4.06mm
Ancho
5.08mm
Material del transistor
Si
Serie
TetraFET
Altura
2.18mm
País de Origen
United Kingdom