Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
SemelabTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
65 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
17.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5.08mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+200 °C
Material del transistor
Si
Longitud
4.06mm
Altura
2.18mm
Serie
TetraFET
País de Origen
United Kingdom
Datos del producto
Transistores MOSFET RF, Semelab
MOSFET Transistors, Semelab
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P.O.A.
50
P.O.A.
50
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Especificaciones
Brand
SemelabTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
65 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
17.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5.08mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+200 °C
Material del transistor
Si
Longitud
4.06mm
Altura
2.18mm
Serie
TetraFET
País de Origen
United Kingdom
Datos del producto