Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
SemelabTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Tipo de Encapsulado
TO-3
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
25mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Largo
39mm
Serie
ALFET
Altura
8.7mm
País de Origen
United Kingdom
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
SemelabTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Tipo de Encapsulado
TO-3
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
25mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Largo
39mm
Serie
ALFET
Altura
8.7mm
País de Origen
United Kingdom