Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
SemelabTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
25 to 75mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+40 V
Maximum Drain Gate Voltage
40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
60 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
3.05 x 2.54 x 1.02mm
Altura
1.02mm
Ancho
2.54mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Longitud
3.05mm
País de Origen
United Kingdom
Datos del producto
JFET de canal N, Semikron
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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P.O.A.
100
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SemelabTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
25 to 75mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+40 V
Maximum Drain Gate Voltage
40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
60 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
3.05 x 2.54 x 1.02mm
Altura
1.02mm
Ancho
2.54mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Longitud
3.05mm
País de Origen
United Kingdom
Datos del producto
JFET de canal N, Semikron
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.