Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1700 V
Serie
SCT2H12NZ
Tipo de Encapsulado
TO-3PFM
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.6V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V, +22 V
Material del transistor
Si
Longitud
16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 18 V
Profundidad
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
21mm
Tensión de diodo directa
4.3V
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal N, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
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$ 9.964
Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 11.857,16
Each (In a Pack of 2) (IVA Incluido)
2
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Each (In a Pack of 2) (IVA Incluido)
2
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
2 - 8 | $ 9.964 | $ 19.928 |
10 - 18 | $ 8.298 | $ 16.596 |
20 - 98 | $ 8.255 | $ 16.510 |
100 - 198 | $ 8.160 | $ 16.320 |
200+ | $ 8.014 | $ 16.028 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1700 V
Serie
SCT2H12NZ
Tipo de Encapsulado
TO-3PFM
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.6V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V, +22 V
Material del transistor
Si
Longitud
16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 18 V
Profundidad
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
21mm
Tensión de diodo directa
4.3V
Datos del producto