MOSFET ROHM RVQ040N05TR, VDSS 45 V, ID 4 A, TSMT de 6 pines, config. Simple

Código de producto RS: 826-7816Marca: ROHMNúmero de parte de fabricante: RVQ040N05TR
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ROHM

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

4.0 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

45 V

Tipo de Encapsulado

TSMT

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

100 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

1,25 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-21 V, +21 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

10 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Anchura

1.8mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

3mm

Altura

0.95mm

País de Origen

Thailand

Datos del producto

Transistores MOSFET de canal N, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

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P.O.A.

Each (In a Pack of 15) (Sin IVA)

MOSFET ROHM RVQ040N05TR, VDSS 45 V, ID 4 A, TSMT de 6 pines, config. Simple

15

Disponible en múltiplos de 15
15P.O.A.
30P.O.A.
45P.O.A.
60P.O.A.
75P.O.A.
90P.O.A.
105P.O.A.
120P.O.A.
135P.O.A.
150P.O.A.
165P.O.A.
180P.O.A.
195P.O.A.
210P.O.A.
225P.O.A.

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ROHM

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N

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TSMT

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

100 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

1,25 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-21 V, +21 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

10 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Anchura

1.8mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

3mm

Altura

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