Diodo, RFN3BGE2STL, 300mA, 200V Conexión de silicio, TO-252GE, 3-Pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMCorriente Máxima Directa
300mA
Configuración de diodo
Single
Número de Elementos por Chip
1
Tipo de montaje
Surface Mount
Tensión Inversa Máxima
200V
Tipo de Encapsulado
TO-252GE
Tecnología de diodo
Silicon Junction
Conteo de Pines
3
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2500
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