Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMCorriente directa máxima lf
1A
Configuración de diodo
2 pares de cátodos comunes
Tipo de Producto
Silicon Junction
Tipo de Montaje
Superficie
Tipo Sub
Silicon Junction
Encapsulado
TO-252GE
Número de pines
3
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
100A
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión directa máxima Vf
1.55V
Tiempo de recuperación inversa máxima trr
50ns
Tensión repetitiva inversa de pico máxima Vrrm
600V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Certificaciones y estándares
RoHS
Serie
RFN10BGE6S
Longitud:
10mm
Altura
2.3mm
Estándar de automoción
No
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
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Empaque de Producción (Rollo)
10
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMCorriente directa máxima lf
1A
Configuración de diodo
2 pares de cátodos comunes
Tipo de Producto
Silicon Junction
Tipo de Montaje
Superficie
Tipo Sub
Silicon Junction
Encapsulado
TO-252GE
Número de pines
3
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
100A
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión directa máxima Vf
1.55V
Tiempo de recuperación inversa máxima trr
50ns
Tensión repetitiva inversa de pico máxima Vrrm
600V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Certificaciones y estándares
RoHS
Serie
RFN10BGE6S
Longitud:
10mm
Altura
2.3mm
Estándar de automoción
No


