Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMConfiguración de diodo
2 pares de cátodos comunes
Tipo de Producto
Silicon Junction
Corriente directa máxima lf
1A
Tipo de Montaje
Surface
Tipo Sub
Silicon Junction
Tipo de Encapsulado
TO-252GE
Número de pines
3
Tiempo de recuperación inversa máxima trr
50ns
Tensión repetitiva inversa de pico máxima Vrrm
600V
Tensión directa máxima Vf
1.55V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
100A
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Series
RFN10BGE6S
Anchura
6.6 mm
Longitud:
10mm
Altura
2.3mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
P.O.A.
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Empaque de Producción (Rollo)
10
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMConfiguración de diodo
2 pares de cátodos comunes
Tipo de Producto
Silicon Junction
Corriente directa máxima lf
1A
Tipo de Montaje
Surface
Tipo Sub
Silicon Junction
Tipo de Encapsulado
TO-252GE
Número de pines
3
Tiempo de recuperación inversa máxima trr
50ns
Tensión repetitiva inversa de pico máxima Vrrm
600V
Tensión directa máxima Vf
1.55V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
100A
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Series
RFN10BGE6S
Anchura
6.6 mm
Longitud:
10mm
Altura
2.3mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No


