MOSFET ROHM QH8JA1TCR, VDSS 20 V, ID 5 A, TSMT de 8 pines, 2elementos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Serie
QH8JA1
Tipo de Encapsulado
TSMT
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
77 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.5V
Disipación de Potencia Máxima
1.5 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Ancho
2.5mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10,2 nC a 4,5 V (canal N)
Altura
0.8mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
Japan
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P.O.A.
20
P.O.A.
20
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ROHMTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Serie
QH8JA1
Tipo de Encapsulado
TSMT
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
77 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.5V
Disipación de Potencia Máxima
1.5 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Ancho
2.5mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10,2 nC a 4,5 V (canal N)
Altura
0.8mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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