MOSFET ROHM HP8S36TB, VDSS 30 V, ID 27 A, 80 A, HSOP8 de 8 pines, 2elementos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
27 A, 80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Serie
HP8S36
Tipo de Encapsulado
HSOP8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
13,3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
22 W, 29 W.
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±128 V, ±20 V.
Ancho
5.8mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4,8 nC a 4,5 V (canal N), 47 nC a 4,5 V (canal N)
Altura
1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Thailand
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$ 821
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 976,99
Each (On a Reel of 2500) (IVA Incluido)
2500
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Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
27 A, 80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Serie
HP8S36
Tipo de Encapsulado
HSOP8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
13,3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
22 W, 29 W.
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±128 V, ±20 V.
Ancho
5.8mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4,8 nC a 4,5 V (canal N), 47 nC a 4,5 V (canal N)
Altura
1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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