Módulo de potencia SiC ROHM, Tipo N-Canal BSM300D12P2E001, VDSS 1200 V, ID 300 A, Mejora de 4 pines, 2

Código de producto RS: 144-2255Marca: ROHMNúmero de parte de fabricante: BSM300D12P2E001
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ROHM

Tipo de producto

Módulo de potencia SiC

Tipo de Canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

300A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

BSM

Tipo de soporte

Surface Mount

Número de pines

4

Modo de canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

1875W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura Máxima de Operación

150°C

Longitud

152mm

Altura

17mm

Número de Elementos por Chip

2

País de Origen

Japan

Datos del producto

SiC Power Modules, ROHM

The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más
Ver todo en MOSFETs

Volver a intentar más tarde

$ 4.653.716

$ 1.163.429 Each (In a Tray of 4) (Sin IVA)

$ 5.537.922

$ 1.384.480,51 Each (In a Tray of 4) (IVA Inc.)

Módulo de potencia SiC ROHM, Tipo N-Canal BSM300D12P2E001, VDSS 1200 V, ID 300 A, Mejora de 4 pines, 2

4

Disponible en múltiplos de 4
4$ 4.653.716
8$ 9.307.432
12$ 13.961.148
16$ 18.614.864
20$ 23.268.580
24$ 27.922.296
28$ 32.576.012
32$ 37.229.728
36$ 41.883.444
40$ 46.537.160
44$ 51.190.876
48$ 55.844.592
52$ 60.498.308
56$ 65.152.024
60$ 69.805.740

$ 4.653.716

$ 1.163.429 Each (In a Tray of 4) (Sin IVA)

$ 5.537.922

$ 1.384.480,51 Each (In a Tray of 4) (IVA Inc.)

Módulo de potencia SiC ROHM, Tipo N-Canal BSM300D12P2E001, VDSS 1200 V, ID 300 A, Mejora de 4 pines, 2

Volver a intentar más tarde

4

Disponible en múltiplos de 4
4$ 4.653.716
8$ 9.307.432
12$ 13.961.148
16$ 18.614.864
20$ 23.268.580
24$ 27.922.296
28$ 32.576.012
32$ 37.229.728
36$ 41.883.444
40$ 46.537.160
44$ 51.190.876
48$ 55.844.592
52$ 60.498.308
56$ 65.152.024
60$ 69.805.740

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ROHM

Tipo de producto

Módulo de potencia SiC

Tipo de Canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

300A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

BSM

Tipo de soporte

Surface Mount

Número de pines

4

Modo de canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

1875W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura Máxima de Operación

150°C

Longitud

152mm

Altura

17mm

Número de Elementos por Chip

2

País de Origen

Japan

Datos del producto

SiC Power Modules, ROHM

The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más