Módulo de potencia SiC ROHM, Tipo N-Canal BSM180D12P3C007, Mejora de 4 pines, 2

Código de producto RS: 144-2259Marca: ROHMNúmero de parte de fabricante: BSM180D12P3C007
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ROHM

Tipo de Producto

Módulo de potencia SiC

Tipo de canal

Type N

Serie

BSM

Número de pines

4

Modo de Canal

Enhancement

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-40°C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Anchura

45.6 mm

Longitud:

122mm

Altura

17mm

Número de elementos por chip

2

País de Origen

Japan

Datos del producto

SiC Power Modules, ROHM

The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

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$ 831.458

$ 831.458 Each (Sin IVA)

$ 989.435

$ 989.435 Each (IVA Inc.)

Módulo de potencia SiC ROHM, Tipo N-Canal BSM180D12P3C007, Mejora de 4 pines, 2

1

Disponible en múltiplos de 1
1$ 831.458
2$ 1.619.164
3$ 2.428.746
4$ 3.238.328
5$ 3.944.115
6$ 4.732.938
7$ 5.521.761
8$ 6.310.584
9$ 7.099.407
10$ 7.691.040
11$ 8.460.144
12$ 9.229.248
13$ 9.998.352
14$ 10.767.456
15$ 11.536.560

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9$ 7.099.407
10$ 7.691.040
11$ 8.460.144
12$ 9.229.248
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14$ 10.767.456
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CantidadPrecio Unitario sin IVA
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2 - 4$ 809.582
5 - 9$ 788.823
10+$ 769.104

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4

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Enhancement

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-40°C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Anchura

45.6 mm

Longitud:

122mm

Altura

17mm

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2

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