Par Darlington, BA12003BF-E2, NPN 500 mA, 60 V, Matriz 7, HFE:1000, SOP, 16 pines Emisor común
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tipo de Encapsulado
SOP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
16
Transistor Configuration
Common Emitter
Configuration
Array 7
Número de Elementos por Chip
7
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.6 V
Profundidad
4.4mm
Altura
1.5mm
Disipación de Potencia Máxima
620 mW
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Dimensiones del Cuerpo
10 x 4.4 x 1.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud:
10mm
Corriente de base
1.35mA
Datos del producto
Conjuntos de transistores Darlington, ROHM Semiconductor
Esta matriz de siete circuitos de transistor Darlington es capaz de impulsar corriente de salida alta (500 mA).
La resistencia de entrada integrada limita la corriente de base
El diodo de abrazadera integrado en la salida absorbe las corrientes de sobrecarga
La disposición de contactos de entrada y salida está separada en cada lado del encapsulado IC
Las aplicaciones incluyen pequeños variadores de motor y controladores de LED
Darlington Transistor Drivers
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Configuration
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Número de Elementos por Chip
7
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.6 V
Profundidad
4.4mm
Altura
1.5mm
Disipación de Potencia Máxima
620 mW
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Dimensiones del Cuerpo
10 x 4.4 x 1.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud:
10mm
Corriente de base
1.35mA
Datos del producto
Conjuntos de transistores Darlington, ROHM Semiconductor
Esta matriz de siete circuitos de transistor Darlington es capaz de impulsar corriente de salida alta (500 mA).
La resistencia de entrada integrada limita la corriente de base
El diodo de abrazadera integrado en la salida absorbe las corrientes de sobrecarga
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