Par Darlington, BA12003B, NPN 60 V, Matriz 7, HFE:1000, DIP, 16 pines Emisor común
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Transistor
NPN
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tipo de Encapsulado
DIP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
16
Transistor Configuration
Common Emitter
Configuration
Array 7
Número de Elementos por Chip
7
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.6 V
Altura
3.74mm
Ancho
6.5mm
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Dimensiones del Cuerpo
19.4 x 6.5 x 3.74mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Longitud
19.4mm
Corriente de base
1.35mA
Datos del producto
Conjuntos de transistores Darlington, ROHM
7 canales
Resistencia de entrada para limitar la corriente de base
Diodo de abrazadera de absorción de transitorios de tensión de salida
Bipolar Transistors, ROHM Semiconductor
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DIP
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Common Emitter
Configuration
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Número de Elementos por Chip
7
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.6 V
Altura
3.74mm
Ancho
6.5mm
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Dimensiones del Cuerpo
19.4 x 6.5 x 3.74mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Longitud
19.4mm
Corriente de base
1.35mA
Datos del producto
Conjuntos de transistores Darlington, ROHM
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