Memoria SRAM Renesas Electronics, 4Mbit, 256 K palabras x 16 bits, TSOP-44, VCC máx. 3,6 V

Código de producto RS: 126-6979Marca: Renesas ElectronicsNúmero de parte de fabricante: RMLV0416EGSB-4S2#AA1
brand-logo
Ver todo de Memorias SRAM

Documentos Técnicos

Especificaciones

Tamaño de la Memoria

4Mbit

Organización

256K words x 16 bit

Número de Palabras

256K

Número de Bits de Palabra

16bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

45ns

Ancho del Bus de Direcciones

18bit

Baja Potencia

Yes

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

TSOP

Conteo de Pines

44

Dimensiones del Cuerpo

18.54 x 10.29 x 1.05mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Altura

1.05mm

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2.7 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+85 °C.

Longitud

18.54mm

Ancho

10.29mm

Datos del producto

SRAM de baja potencia, serie RMLV, Renesas Electronics

Las RAM estáticas avanzadas de alto rendimiento de la serie RMLV han conseguido una densidad alta y un consumo de corriente bajo y, además, ofrecen disipación de potencia en espera de baja potencia.

Fuente de alimentación simple de 2,7 V o 3,6 V
Tiempo de acceso: 45 ns (máx.)
Igualdad de tiempos de acceso y ciclo
Entrada y salida de datos comunes con tres salidas de estado
Todas las entradas y salidas son compatibles con TTL
Apta para el funcionamiento de batería de reserva

SRAM (Static Random Access Memory)

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

P.O.A.

Memoria SRAM Renesas Electronics, 4Mbit, 256 K palabras x 16 bits, TSOP-44, VCC máx. 3,6 V
Seleccionar tipo de embalaje

P.O.A.

Memoria SRAM Renesas Electronics, 4Mbit, 256 K palabras x 16 bits, TSOP-44, VCC máx. 3,6 V
Volver a intentar más tarde
Seleccionar tipo de embalaje

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Tamaño de la Memoria

4Mbit

Organización

256K words x 16 bit

Número de Palabras

256K

Número de Bits de Palabra

16bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

45ns

Ancho del Bus de Direcciones

18bit

Baja Potencia

Yes

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

TSOP

Conteo de Pines

44

Dimensiones del Cuerpo

18.54 x 10.29 x 1.05mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Altura

1.05mm

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2.7 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+85 °C.

Longitud

18.54mm

Ancho

10.29mm

Datos del producto

SRAM de baja potencia, serie RMLV, Renesas Electronics

Las RAM estáticas avanzadas de alto rendimiento de la serie RMLV han conseguido una densidad alta y un consumo de corriente bajo y, además, ofrecen disipación de potencia en espera de baja potencia.

Fuente de alimentación simple de 2,7 V o 3,6 V
Tiempo de acceso: 45 ns (máx.)
Igualdad de tiempos de acceso y ciclo
Entrada y salida de datos comunes con tres salidas de estado
Todas las entradas y salidas son compatibles con TTL
Apta para el funcionamiento de batería de reserva

SRAM (Static Random Access Memory)

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more