Memoria SRAM Renesas Electronics, 4Mbit, 256 K palabras x 16 bits, FBGA-48, VCC máx. 3,6 V

Código de producto RS: 126-6978Marca: Renesas ElectronicsNúmero de parte de fabricante: RMLV0416EGBG-4S2#AC0
brand-logo
Ver todo de Memorias SRAM

Documentos Técnicos

Especificaciones

Tamaño de la Memoria

4Mbit

Organización

256K words x 16 bit

Número de Palabras

256K

Número de Bits de Palabra

16bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

45ns

Ancho del Bus de Direcciones

18bit

Baja Potencia

Yes

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

FC FBGA

Conteo de Pines

48

Dimensiones del Cuerpo

7.58 x 8.58 x 0.8mm

Altura

0.8mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Ancho

8.58mm

Temperatura Mínima de Operación

-40 ºC

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2.7 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+85 °C.

Largo

7.58mm

Datos del producto

SRAM de baja potencia, serie RMLV, Renesas Electronics

Las RAM estáticas avanzadas de alto rendimiento de la serie RMLV han conseguido una densidad alta y un consumo de corriente bajo y, además, ofrecen disipación de potencia en espera de baja potencia.

Fuente de alimentación simple de 2,7 V o 3,6 V
Tiempo de acceso: 45 ns (máx.)
Igualdad de tiempos de acceso y ciclo
Entrada y salida de datos comunes con tres salidas de estado
Todas las entradas y salidas son compatibles con TTL
Apta para el funcionamiento de batería de reserva

SRAM (Static Random Access Memory)

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

P.O.A.

Memoria SRAM Renesas Electronics, 4Mbit, 256 K palabras x 16 bits, FBGA-48, VCC máx. 3,6 V

P.O.A.

Memoria SRAM Renesas Electronics, 4Mbit, 256 K palabras x 16 bits, FBGA-48, VCC máx. 3,6 V
Volver a intentar más tarde

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Documentos Técnicos

Especificaciones

Tamaño de la Memoria

4Mbit

Organización

256K words x 16 bit

Número de Palabras

256K

Número de Bits de Palabra

16bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

45ns

Ancho del Bus de Direcciones

18bit

Baja Potencia

Yes

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

FC FBGA

Conteo de Pines

48

Dimensiones del Cuerpo

7.58 x 8.58 x 0.8mm

Altura

0.8mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Ancho

8.58mm

Temperatura Mínima de Operación

-40 ºC

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2.7 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+85 °C.

Largo

7.58mm

Datos del producto

SRAM de baja potencia, serie RMLV, Renesas Electronics

Las RAM estáticas avanzadas de alto rendimiento de la serie RMLV han conseguido una densidad alta y un consumo de corriente bajo y, además, ofrecen disipación de potencia en espera de baja potencia.

Fuente de alimentación simple de 2,7 V o 3,6 V
Tiempo de acceso: 45 ns (máx.)
Igualdad de tiempos de acceso y ciclo
Entrada y salida de datos comunes con tres salidas de estado
Todas las entradas y salidas son compatibles con TTL
Apta para el funcionamiento de batería de reserva

SRAM (Static Random Access Memory)

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más