Memoria SRAM Renesas Electronics, 4Mbit, 512 K palabras x 8 bits, TSOP-32, VCC máx. 3,6 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Renesas ElectronicsTamaño de la Memoria
4Mbit
Organización
512K palabras x 8 bits
Número de Palabras
512K
Número de Bits de Palabra
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
45ns
Ancho del Bus de Direcciones
19bit
Baja Potencia
Yes
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
32
Dimensiones del Cuerpo
11.9 x 8.1 x 1mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Largo
11.9mm
Ancho
8.1mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Datos del producto
SRAM de baja potencia, serie RMLV, Renesas Electronics
Las RAM estáticas avanzadas de alto rendimiento de la serie RMLV han conseguido una densidad alta y un consumo de corriente bajo y, además, ofrecen disipación de potencia en espera de baja potencia.
Fuente de alimentación simple de 2,7 V o 3,6 V
Tiempo de acceso: 45 ns (máx.)
Igualdad de tiempos de acceso y ciclo
Entrada y salida de datos comunes con tres salidas de estado
Todas las entradas y salidas son compatibles con TTL
Apta para el funcionamiento de batería de reserva
SRAM (Static Random Access Memory)
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Renesas ElectronicsTamaño de la Memoria
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Número de Palabras
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Número de Bits de Palabra
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
45ns
Ancho del Bus de Direcciones
19bit
Baja Potencia
Yes
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
32
Dimensiones del Cuerpo
11.9 x 8.1 x 1mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Largo
11.9mm
Ancho
8.1mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Datos del producto
SRAM de baja potencia, serie RMLV, Renesas Electronics
Las RAM estáticas avanzadas de alto rendimiento de la serie RMLV han conseguido una densidad alta y un consumo de corriente bajo y, además, ofrecen disipación de potencia en espera de baja potencia.
Fuente de alimentación simple de 2,7 V o 3,6 V
Tiempo de acceso: 45 ns (máx.)
Igualdad de tiempos de acceso y ciclo
Entrada y salida de datos comunes con tres salidas de estado
Todas las entradas y salidas son compatibles con TTL
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