IGBT, RJH65T14DPQ-A0#T0, N-Canal, 100 A, 650 V, TO-247 A, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Renesas ElectronicsCorriente Máxima Continua del Colector
100 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±30V
Disipación de Potencia Máxima
250000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-247 A
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
15.94 x 5.02 x 21.13mm
Capacitancia de puerta
1750pF
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
País de Origen
China
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