Memoria SRAM Renesas Electronics, 256kbit, 32 K palabras x 8 bits, SOP-28, VCC máx. 3,6 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Renesas ElectronicsTamaño de la Memoria
256kbit
Organización
32K words x 8 bit
Número de Palabras
32K
Número de Bits de Palabra
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
55ns
Ancho del Bus de Direcciones
15bit
Baja Potencia
Yes
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOP
Conteo de Pines
28
Dimensiones
11.9 x 8.1 x 1mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
1mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud
11.9mm
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Ancho
8.1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Datos del producto
SRAM de baja potencia, serie R1LV, Renesas Electronics
La serie R1LV de RAM estáticas avanzadas de baja tensión son aptas para aplicaciones de memoria en las que los objetivos de diseño importantes sean una interfaz sencilla, el funcionamiento de la batería y la batería de reserva.
Fuente de alimentación única de 2,7 V o 3,6 V
Corriente pequeña en standby
No es necesario reloj ni actualizaciones
Todas las entradas y salidas son compatibles con TTL
Tres salidas de estado: capacidad OR-Tie
SRAM (Static Random Access Memory)
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Renesas ElectronicsTamaño de la Memoria
256kbit
Organización
32K words x 8 bit
Número de Palabras
32K
Número de Bits de Palabra
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
55ns
Ancho del Bus de Direcciones
15bit
Baja Potencia
Yes
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOP
Conteo de Pines
28
Dimensiones
11.9 x 8.1 x 1mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
1mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud
11.9mm
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Ancho
8.1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Datos del producto
SRAM de baja potencia, serie R1LV, Renesas Electronics
La serie R1LV de RAM estáticas avanzadas de baja tensión son aptas para aplicaciones de memoria en las que los objetivos de diseño importantes sean una interfaz sencilla, el funcionamiento de la batería y la batería de reserva.
Fuente de alimentación única de 2,7 V o 3,6 V
Corriente pequeña en standby
No es necesario reloj ni actualizaciones
Todas las entradas y salidas son compatibles con TTL
Tres salidas de estado: capacidad OR-Tie
SRAM (Static Random Access Memory)
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos