Memoria SRAM Renesas Electronics, 32Mbit, 2M palabras x 16 bits, 4M palabras x 8 bits, TSOP-48, VCC máx. 3,6 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Renesas ElectronicsTamaño de la Memoria
32Mbit
Organización
2M palabras x 16 bits, 4M palabras x 8 bits
Número de Palabras
2M, 4M
Número de Bits de Palabra
8 bit, 16 bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
55ns
Ancho del Bus de Direcciones
20 bit, 21 bit
Baja Potencia
Yes
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
48
Dimensiones del Cuerpo
18.5 x 12.1 x 1.05mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
1.05mm
Ancho
12.1mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Temperatura Máxima de Operación
+85 °C.
Longitud
18.5mm
Datos del producto
SRAM de baja potencia, serie R1LV, Renesas Electronics
La serie R1LV de RAM estáticas avanzadas de baja tensión son aptas para aplicaciones de memoria en las que los objetivos de diseño importantes sean una interfaz sencilla, el funcionamiento de la batería y la batería de reserva.
Fuente de alimentación única de 2,7 V o 3,6 V
Corriente pequeña en standby
No es necesario reloj ni actualizaciones
Todas las entradas y salidas son compatibles con TTL
Tres salidas de estado: capacidad OR-Tie
SRAM (Static Random Access Memory)
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Renesas ElectronicsTamaño de la Memoria
32Mbit
Organización
2M palabras x 16 bits, 4M palabras x 8 bits
Número de Palabras
2M, 4M
Número de Bits de Palabra
8 bit, 16 bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
55ns
Ancho del Bus de Direcciones
20 bit, 21 bit
Baja Potencia
Yes
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
48
Dimensiones del Cuerpo
18.5 x 12.1 x 1.05mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
1.05mm
Ancho
12.1mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Temperatura Máxima de Operación
+85 °C.
Longitud
18.5mm
Datos del producto
SRAM de baja potencia, serie R1LV, Renesas Electronics
La serie R1LV de RAM estáticas avanzadas de baja tensión son aptas para aplicaciones de memoria en las que los objetivos de diseño importantes sean una interfaz sencilla, el funcionamiento de la batería y la batería de reserva.
Fuente de alimentación única de 2,7 V o 3,6 V
Corriente pequeña en standby
No es necesario reloj ni actualizaciones
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