Memoria SRAM Renesas Electronics, 1Mbit, 128K palabras x 8 bits, sTSOP-32, VCC máx. 3,6 V

Código de producto RS: 126-6966Marca: Renesas ElectronicsNúmero de parte de fabricante: R1LV0108ESA-5SI#B1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tamaño de la Memoria

1Mbit

Organización

128K palabras x 8 bits

Número de Palabras

128K

Número de Bits de Palabra

8bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

55ns

Ancho del Bus de Direcciones

17bit

Baja Potencia

Yes

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

STSOP

Conteo de Pines

32

Dimensiones del Cuerpo

11.9 x 8.1 x 1mm

Altura

1mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Temperatura Mínima de Operación

-40 ºC

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2.7 V

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+85 °C.

Ancho

8.1mm

Longitud

11.9mm

Datos del producto

SRAM de baja potencia, serie R1LV, Renesas Electronics

La serie R1LV de RAM estáticas avanzadas de baja tensión son aptas para aplicaciones de memoria en las que los objetivos de diseño importantes sean una interfaz sencilla, el funcionamiento de la batería y la batería de reserva.

Fuente de alimentación única de 2,7 V o 3,6 V
Corriente pequeña en standby
No es necesario reloj ni actualizaciones
Todas las entradas y salidas son compatibles con TTL
Tres salidas de estado: capacidad OR-Tie

SRAM (Static Random Access Memory)

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1Mbit

Organización

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Número de Palabras

128K

Número de Bits de Palabra

8bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

55ns

Ancho del Bus de Direcciones

17bit

Baja Potencia

Yes

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

STSOP

Conteo de Pines

32

Dimensiones del Cuerpo

11.9 x 8.1 x 1mm

Altura

1mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Temperatura Mínima de Operación

-40 ºC

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2.7 V

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+85 °C.

Ancho

8.1mm

Longitud

11.9mm

Datos del producto

SRAM de baja potencia, serie R1LV, Renesas Electronics

La serie R1LV de RAM estáticas avanzadas de baja tensión son aptas para aplicaciones de memoria en las que los objetivos de diseño importantes sean una interfaz sencilla, el funcionamiento de la batería y la batería de reserva.

Fuente de alimentación única de 2,7 V o 3,6 V
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